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Ein 300 mm Siliziumwafer mit Tausenden von GaAs-Bauelementen mit einer Nahaufnahme mehrerer Dies und eine Rasterelektronenmikroskop-Aufnahme einer Nano-Ridge-Anordnung aus GaAs nach der Epitaxie. / A 300 mm silicon wafer containing thousands of GaAs devices with a close-up of multiple dies and a scanning electron micrograph of a GaAs nano-ridge array after epitaxy. Ein 300 mm Siliziumwafer mit Tausenden von GaAs-Bauelementen mit einer Nahaufnahme mehrerer Dies und eine Rasterelektronenmikroskop-Aufnahme einer Nano-Ridge-Anordnung aus GaAs nach der Epitaxie. / A 300 mm silicon wafer containing thousands of GaAs devices with a close-up of multiple dies and a scanning electron micrograph of a GaAs nano-ridge array after epitaxy.
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Ein rasanter technologischer Fortschritt und verkürzte Produktentwicklungszyklen stellen Hersteller und Zulieferer vor immer größere zeitliche Herausforderungen. Bormann & Neupert by BS&B hat nun die schnelle Bereitstellung projektspezifischer Berstscheiben-Prototypen weiter systematisier…

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