![Vertikaler Pufferleckstrom in Durchlassrichtung, gemessen an 1200V GaN-on-QST® bei zwei verschiedenen Temperaturen: (links) 25°C und (rechts) 150°C. Der 1200V-Puffer von Imec zeigt einen vertikalen Leckstrom unter 1µA/mm2 bei 25°C und unter 10µA/mm2 bei 150°C bis zu 1200V mit einem Durchbruch von über 1800V sowohl bei 25°C als auch bei 150°C, was ihn für die Verarbeitung von 1200V-Bauteilen geeignet macht. / Vertical forward buffer leakage current measured on 1200V GaN-on-QST® at two different temperatures: (left) 25°C and (right) 150°C. Imec’s 1200V buffer shows vertical leakage current below 1µA/mm2 at 25°C and below 10µA/mm2 at 150°C up to 1200V with a breakdown in excess of 1800V both at 25°C and 150°C, which makes it suitable for the processing of 1200V devices. Vertikaler Pufferleckstrom in Durchlassrichtung, gemessen an 1200V GaN-on-QST® bei zwei verschiedenen Temperaturen: (links) 25°C und (rechts) 150°C. Der 1200V-Puffer von Imec zeigt einen vertikalen Leckstrom unter 1µA/mm2 bei 25°C und unter 10µA/mm2 bei 150°C bis zu 1200V mit einem Durchbruch von über 1800V sowohl bei 25°C als auch bei 150°C, was ihn für die Verarbeitung von 1200V-Bauteilen geeignet macht. / Vertical forward buffer leakage current measured on 1200V GaN-on-QST® at two different temperatures: (left) 25°C and (right) 150°C. Imec’s 1200V buffer shows vertical leakage current below 1µA/mm2 at 25°C and below 10µA/mm2 at 150°C up to 1200V with a breakdown in excess of 1800V both at 25°C and 150°C, which makes it suitable for the processing of 1200V devices.](/uploads/images/_scale/imecaixtrongan_169_626x352.jpg)
This breakthrough result paves the way for GaN to enter into the SiC high voltage domain
Imec and AIXTRON Demonstrate 200 mm GaN Epitaxy on AIX G5+ C for 1200V Applications with Breakdown in Excess of 1800V
Imec, a world-leading research and innovation hub in nanoelectronics and digital technologies, and AIXTRON, the leading provider of deposition equipment for compound semiconductor materials, have demonstrated epitaxial growth of gallium-nitride (GaN) buffer layers qualified for 1200V applications on…