![Schematische Darstellungen (nicht maßstabsgetreu) von (links) Lloyd's Mirror-Anordnung für High-NA EUV-Interferenz-Coupon-Experimente und (rechts) Interferenzkammer für Full-Wafer-Experimente. / Schematic representations (not to scale) of (left) Lloyd’s Mirror setup for high-NA EUV interference coupon experiments and (right) interference chamber for full-wafer experiments. Schematische Darstellungen (nicht maßstabsgetreu) von (links) Lloyd's Mirror-Anordnung für High-NA EUV-Interferenz-Coupon-Experimente und (rechts) Interferenzkammer für Full-Wafer-Experimente. / Schematic representations (not to scale) of (left) Lloyd’s Mirror setup for high-NA EUV interference coupon experiments and (right) interference chamber for full-wafer experiments.](/uploads/images/_scale/figure1leftlloydsmirrorsetup_169_626x352.jpg)
![Schematische Darstellungen (nicht maßstabsgetreu) von (links) Lloyd's Mirror-Anordnung für High-NA EUV-Interferenz-Coupon-Experimente und (rechts) Interferenzkammer für Full-Wafer-Experimente. / Schematic representations (not to scale) of (left) Lloyd’s Mirror setup for high-NA EUV interference coupon experiments and (right) interference chamber for full-wafer experiments. Schematische Darstellungen (nicht maßstabsgetreu) von (links) Lloyd's Mirror-Anordnung für High-NA EUV-Interferenz-Coupon-Experimente und (rechts) Interferenzkammer für Full-Wafer-Experimente. / Schematic representations (not to scale) of (left) Lloyd’s Mirror setup for high-NA EUV interference coupon experiments and (right) interference chamber for full-wafer experiments.](/uploads/images/_scale/figure1rightinterferencechamber_169_626x352.jpg)
![(Links) Querschnitts-SEM-Aufnahme eines 20-nm-L/S-Musters auf einem Inpria-Metalloxid-Resist, belichtet in einem Lloyd's-Spiegel-Interferenzaufbau bei einer Dosis von 64mJ/cm2 und einem Interferenzwinkel von 20°. (Rechts) Fourier-Transformationsanalyse, wobei 0,05=20nm Abstand. / (Left) Cross-section SEM image of a 20nm L/S pattern imaged an Inpria metal-oxide resist, exposed in a Lloyd’s mirror interference setup at a dose of 64mJ/cm2 and interference angle 20°. (Right) Fourier transform analysis where 0.05=20nm pitch. (Links) Querschnitts-SEM-Aufnahme eines 20-nm-L/S-Musters auf einem Inpria-Metalloxid-Resist, belichtet in einem Lloyd's-Spiegel-Interferenzaufbau bei einer Dosis von 64mJ/cm2 und einem Interferenzwinkel von 20°. (Rechts) Fourier-Transformationsanalyse, wobei 0,05=20nm Abstand. / (Left) Cross-section SEM image of a 20nm L/S pattern imaged an Inpria metal-oxide resist, exposed in a Lloyd’s mirror interference setup at a dose of 64mJ/cm2 and interference angle 20°. (Right) Fourier transform analysis where 0.05=20nm pitch.](/uploads/images/_scale/figure2_169_626x351.jpg)
The achievement marks a major milestone of imec and KMLabs’ AttoLab
Imec Demonstrates 20nm Pitch Line/Space Resist Imaging with High-NA EUV Interference Lithography
Imec, a world-leading research and innovation hub in nanoelectronics and digital technologies, reports for the first time the use of a 13.5 nm High Harmonic Generation source for the printing of 20nm pitch line/spaces using interference lithographic imaging of an Inpria metal-oxide resist under high…