![Schematische Darstellungen (nicht maßstabsgetreu) von (links) Lloyd's Mirror-Anordnung für High-NA EUV-Interferenz-Coupon-Experimente und (rechts) Interferenzkammer für Full-Wafer-Experimente. / Schematic representations (not to scale) of (left) Lloyd’s Mirror setup for high-NA EUV interference coupon experiments and (right) interference chamber for full-wafer experiments. Schematische Darstellungen (nicht maßstabsgetreu) von (links) Lloyd's Mirror-Anordnung für High-NA EUV-Interferenz-Coupon-Experimente und (rechts) Interferenzkammer für Full-Wafer-Experimente. / Schematic representations (not to scale) of (left) Lloyd’s Mirror setup for high-NA EUV interference coupon experiments and (right) interference chamber for full-wafer experiments.](/uploads/images/_scale/figure1leftlloydsmirrorsetup_169_626x352.jpg)
![Schematische Darstellungen (nicht maßstabsgetreu) von (links) Lloyd's Mirror-Anordnung für High-NA EUV-Interferenz-Coupon-Experimente und (rechts) Interferenzkammer für Full-Wafer-Experimente. / Schematic representations (not to scale) of (left) Lloyd’s Mirror setup for high-NA EUV interference coupon experiments and (right) interference chamber for full-wafer experiments. Schematische Darstellungen (nicht maßstabsgetreu) von (links) Lloyd's Mirror-Anordnung für High-NA EUV-Interferenz-Coupon-Experimente und (rechts) Interferenzkammer für Full-Wafer-Experimente. / Schematic representations (not to scale) of (left) Lloyd’s Mirror setup for high-NA EUV interference coupon experiments and (right) interference chamber for full-wafer experiments.](/uploads/images/_scale/figure1rightinterferencechamber_169_626x352.jpg)
![(Links) Querschnitts-SEM-Aufnahme eines 20-nm-L/S-Musters auf einem Inpria-Metalloxid-Resist, belichtet in einem Lloyd's-Spiegel-Interferenzaufbau bei einer Dosis von 64mJ/cm2 und einem Interferenzwinkel von 20°. (Rechts) Fourier-Transformationsanalyse, wobei 0,05=20nm Abstand. / (Left) Cross-section SEM image of a 20nm L/S pattern imaged an Inpria metal-oxide resist, exposed in a Lloyd’s mirror interference setup at a dose of 64mJ/cm2 and interference angle 20°. (Right) Fourier transform analysis where 0.05=20nm pitch. (Links) Querschnitts-SEM-Aufnahme eines 20-nm-L/S-Musters auf einem Inpria-Metalloxid-Resist, belichtet in einem Lloyd's-Spiegel-Interferenzaufbau bei einer Dosis von 64mJ/cm2 und einem Interferenzwinkel von 20°. (Rechts) Fourier-Transformationsanalyse, wobei 0,05=20nm Abstand. / (Left) Cross-section SEM image of a 20nm L/S pattern imaged an Inpria metal-oxide resist, exposed in a Lloyd’s mirror interference setup at a dose of 64mJ/cm2 and interference angle 20°. (Right) Fourier transform analysis where 0.05=20nm pitch.](/uploads/images/_scale/figure2_169_626x351.jpg)
Das Ergebnis markiert einen wichtigen Meilenstein des AttoLab von imec und KMLabs
Imec präsentiert 20nm Pitch Line/Space Resist Imaging mit High-NA EUV Interferenzlithographie
IImec, ein weltweit führendes Forschungs- und Innovationszentrum für Nanoelektronik und digitale Technologien, meldet erstmals den Einsatz einer 13,5 nm High Harmonic Generator-Quelle für das Printing von Linien/Abständen mit 20 nm Pitch mittels Interferenzlithografie eines Inpria-Metalloxid-Res…