![](/uploads/images/_scale/header_169_1_626x352.jpg)
![Abbildung 1 - CMOS-CFET-Bauelemente mit MDI und gestapelten strukturierten Kontakten auf der Vorderseite (TC = oberer Kontakt; TJ = oberer Übergang; BC = unterer Kontakt; BJ = unterer Übergang). Gezeigt werden REM-Querschnitte längs (links) und quer (rechts) zum BC/TC. / Figure 1 – CMOS CFET devices with MDI and stacked frontside patterned contacts (TC = top contact; TJ = top junction; BC = bottom contact; BJ = bottom junction). SEM cross sections are shown along (left) and across (right) the BC/TC. Abbildung 1 - CMOS-CFET-Bauelemente mit MDI und gestapelten strukturierten Kontakten auf der Vorderseite (TC = oberer Kontakt; TJ = oberer Übergang; BC = unterer Kontakt; BJ = unterer Übergang). Gezeigt werden REM-Querschnitte längs (links) und quer (rechts) zum BC/TC. / Figure 1 – CMOS CFET devices with MDI and stacked frontside patterned contacts (TC = top contact; TJ = top junction; BC = bottom contact; BJ = bottom junction). SEM cross sections are shown along (left) and across (right) the BC/TC.](/uploads/images/_scale/figure1temshowingstackedfrontsidecontacts_169_626x352.jpg)
![Abbildung 2 - Id/Vg- Kennlinien für nFET und pFET mit gestapelten Kontakten auf der Vorderseite. / Figure 2 – Id/Vg curves for nFET and pFET with frontside patterned stacked contacts. Abbildung 2 - Id/Vg- Kennlinien für nFET und pFET mit gestapelten Kontakten auf der Vorderseite. / Figure 2 – Id/Vg curves for nFET and pFET with frontside patterned stacked contacts.](/uploads/images/_scale/figure2ivcurves_169_626x352.jpg)
![Abbildung 3 - REM-Aufnahme der unteren Kontakte, die auf der Rückseite des Wafers ausgebildet und genau über dem unteren Übergang auf der Vorderseite positioniert sind (BDI = Bottom Dielectric Isolation). / Figure 3 – SEM picture showing bottom contacts formed on the wafer backside and positioned accurately over the bottom junction formed on the frontside (BDI = bottom dielectric isolation). Abbildung 3 - REM-Aufnahme der unteren Kontakte, die auf der Rückseite des Wafers ausgebildet und genau über dem unteren Übergang auf der Vorderseite positioniert sind (BDI = Bottom Dielectric Isolation). / Figure 3 – SEM picture showing bottom contacts formed on the wafer backside and positioned accurately over the bottom junction formed on the frontside (BDI = bottom dielectric isolation).](/uploads/images/_scale/figure3temshowingbottomcontactsformedonwaferbackside_169_626x352.jpg)
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- Elektronik (Wafer, Halbleiter, Mikrochips,...)
Imec demonstriert funktionale monolithische CFET-Bauelemente mit gestackten unteren und oberen Kontakten
Diese Woche präsentiert imec, ein weltweit führendes Forschungs- und Innovationszentrum für Nanoelektronik und digitale Technologien, auf dem 2024 IEEE Symposium über VLSI-Technologie und -Schaltungen (2024 VLSI) erstmals elektrisch funktionsfähige CMOS-CFET- Komponenten mit gestackten unteren…