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Mit iglidur I190 hat igus ein neues Allrounder-Filament für den 3D-Druck entwickelt. So lassen sich verschleißfeste Sonderteile wie Gleitlager mit einer hohen mechanischen Biegefestigkeit von 80MPa drucken. (Quelle: igus GmbH) Im Test trat ein gedrucktes iglidur I190 Lager gegen additiv gefertigte Lager aus ABS und Polyamid und gegen gedrehte und gespritzte Lager aus POM und Nylon an. Das Ergebnis: Das gedruckte igus Lager war bis zu 50-mal abriebfester als die Lager aus Standardkunststoffen. (Quelle: igus GmbH)

Leicht zu verarbeitendes FDM-Filament iglidur I190 sorgt für eine schnelle Fertigung von hochfesten Verschleißteilen

Stabile und abriebfeste Bauteile einfach selbst drucken mit neuem igus tribofilament

Um Verschleißteile in Sonderabmessungen schnell und kostengünstig herstellen zu können, hat igus jetzt mit iglidur I190 ein neues, einfach zu verarbeitendes Allrounder-Filament entwickelt. Es zeichnet sich durch eine hohe mechanische Biegefestigkeit von 80MPa aus. Der tribologisch optimierte Werk…

Dank der Mobilfunkverbindung ist das Weidmüller IoT Gateway 30 überall einsetzbar, unabhängig von der bestehenden Infrastruktur. / Thanks to mobile connectivity, the Weidmüller IoT Gateway 30 can be used anywhere, regardless of the existing infrastructure. Weidmüller IoT-Gateway: Der Allrounder für alle IoT-Applikationen / Weidmüller IoT Gateway: the all-rounder for all IoT applications

IoT Gateway 30 – 4G/LTE modem for flexible mobile connectivity. – Connection of IoT data and remote access. – Versatile connection through serial interfaces and protocols (Modbus RTU, TCP, OPC UA, MQTT, RFC1006...). – Integrated u-link Remote Access Servi

Weidmüller multifunction gateway

Plant automation has been undergoing rapid transformation for years. Weidmüller has always addressed and driven forward the requirements resulting from such change, with the development of smart components like IoT Gateway 30, for example. The multifunction gateway is the logical addition to the po…

28nm Pitch Single-Exposure-Strukturierung mit dem MOx-Prozess von Inpria auf einem 0,33NA EUV-Vollfeldscanner nach Ru-Metallisierung. / 28nm pitch single-exposure patterning using Inpria’s MOx process on a 0.33NA EUV full field scanner after Ru metallization. 24nm Pitch-Linien/Abstände, erzielt auf einem 0,33NA NXE:3400B Vollfeldscanner, (links) nach dem Entwickeln und (rechts) nach dem Ätzen auf der kritischen Zielgröße (CD) (uLER = unbiased line-edge roughness). / 24nm pitch line/spaces obtained on a 0.33NA NXE:3400B full field scanner, (left) after developing and (right) after etching on target critical dimension (CD) (uLER = unbiased line-edge roughness). 28nm Kontaktlöcher, erzielt mit einem 0,33NA NXE:3400 Vollfeldscanner, nach dem Entwickeln. / 28nm contact holes obtained on a 0.33NA NXE:3400 full field scanner, after developing.

Proven correlation between morphological and electrical data on 28nm pitch line/spaces increases understanding of stochastic defectivity impact on device reliability/yield

Imec Pushes Single-Exposure Patterning Capability of 0.33NA EUVL to its Extreme Limits

This week, at the 2021 SPIE Advanced Lithography Conference, imec, a world-leading research and innovation hub in nanoelectronics and digital technologies, and ASML, the world’s leading manufacturer of semiconductor lithography equipment, present several papers that demonstrate the ultimate single…

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