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28nm Pitch Single-Exposure-Strukturierung mit dem MOx-Prozess von Inpria auf einem 0,33NA EUV-Vollfeldscanner nach Ru-Metallisierung. / 28nm pitch single-exposure patterning using Inpria’s MOx process on a 0.33NA EUV full field scanner after Ru metallization. 24nm Pitch-Linien/Abstände, erzielt auf einem 0,33NA NXE:3400B Vollfeldscanner, (links) nach dem Entwickeln und (rechts) nach dem Ätzen auf der kritischen Zielgröße (CD) (uLER = unbiased line-edge roughness). / 24nm pitch line/spaces obtained on a 0.33NA NXE:3400B full field scanner, (left) after developing and (right) after etching on target critical dimension (CD) (uLER = unbiased line-edge roughness). 28nm Kontaktlöcher, erzielt mit einem 0,33NA NXE:3400 Vollfeldscanner, nach dem Entwickeln. / 28nm contact holes obtained on a 0.33NA NXE:3400 full field scanner, after developing.

Nachgewiesene Korrelation zwischen morphologischen und elektrischen Daten auf 28-nm-Pitch-Linien/-Spaces erhöht das Verständnis der Auswirkungen stochastischer Defekte auf die Zuverlässigkeit/Ausbeute der Bauelemente

Imec treibt die Single-Exposure-Patterning-Fähigkeit von 0,33NA EUVL bis an ihre Grenzen

Diese Woche präsentieren imec, ein weltweit führendes Forschungs- und Innovationszentrum für Nanoelektronik und digitale Technologien, und ASML, der weltweit führende Hersteller von Halbleiterlithografieanlagen, auf der SPIE Advanced Lithography Conference 2021 mehrere Vorträge, die die ultimat…

Auszeichnung in fünf Hauptkategorien bestätigt Vetter als verlässlichen Partner auch in herausfordernden Zeiten

Vetter schneidet auch 2021 erfolgreich bei den CMO Leadership Awards ab

- Vetter punktet mit sehr guten Bewertungen in maßgeblichen Kategorien
- Ergebnisse spiegeln positive Erfahrungen der Kunden wider
- Auszeichnung unterstreicht hohen Kundenfokus des Pharmadienstleisters

Vetter, eine global führende Contract Development und Manufacturing Organisation (CDMO), wurde auch…

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PPS Becker Vaisala HJM