![Abbildung 1 - Gemessener und vorhergesagter Wärmewiderstand in Abhängigkeit von der Lamellenbreite von GaN-on-Si-HEMTs mit zwei Lamellen. / Figure 1 - Measured and predicted thermal resistance vs. finger width of two-finger GaN-on-Si HEMTs. Abbildung 1 - Gemessener und vorhergesagter Wärmewiderstand in Abhängigkeit von der Lamellenbreite von GaN-on-Si-HEMTs mit zwei Lamellen. / Figure 1 - Measured and predicted thermal resistance vs. finger width of two-finger GaN-on-Si HEMTs.](/uploads/images/_scale/imecfigure1measuredthermalresistance_169_626x352.jpg)
![Abbildung 2 - Geometrie des in der 3D-Simulation verwendeten InP-Nanoridge-HBT. / Figure 2 – Geometry of the InP nanoridge HBT used in the 3D simulation. Abbildung 2 - Geometrie des in der 3D-Simulation verwendeten InP-Nanoridge-HBT. / Figure 2 – Geometry of the InP nanoridge HBT used in the 3D simulation.](/uploads/images/_scale/imecfigure2geometryinpnanoridge_169_626x352.jpg)
![Abbildung 3 - Auswirkungen von nicht-diffusiven thermischen Transporteffekten (wie in der Monte-Carlo-Simulation von imec erfasst) in InP-Nanoridge-HBTs. / Figure 3 – Impact of non-diffusive thermal transport effects (as captured by imec’s Monte Carlo simulation) in InP nanoridge HBTs. Abbildung 3 - Auswirkungen von nicht-diffusiven thermischen Transporteffekten (wie in der Monte-Carlo-Simulation von imec erfasst) in InP-Nanoridge-HBTs. / Figure 3 – Impact of non-diffusive thermal transport effects (as captured by imec’s Monte Carlo simulation) in InP nanoridge HBTs.](/uploads/images/_scale/imecfigure3impactofnondiffusivethermaltransport_169_626x352.jpg)
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- Tagung
Imec präsentiert Simulationswerkzeug zur besseren Vorhersage des Wärmeflusses in RF-Bausteinen für 5G und 6G
Diese Woche präsentiert imec, weltweit führendes Forschungs- und Innovationszentrum für Nanoelektronik und digitale Technologien, auf dem International Electron Devices Meeting 2022 (IEEE IEDM 2022) einen Monte-Carlo-Boltzmann-Modellierungsrahmen, der zur Vorhersage des 3D-Wärmetransports in hoc…