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Alle Veröffentlichungen zur Rubrik Elektronik (Wafer, Halbleiter, Mikrochips,...)

Vereinzelte OFET-Substrate des Fraunhofer IPMS. © Fraunhofer IPMS / Diced OFET substrates from Fraunhofer IPMS. © Fraunhofer IPMS OFET-Substrate des Fraunhofer IPMS als Wafer. © Fraunhofer IPMS / OFET substrates from Fraunhofer IPMS as wafer. © Fraunhofer IPMS OFET-Substrate des Fraunhofer IPMS im Waffle-Pack. © Fraunhofer IPMS / OFET substrates from Fraunhofer IPMS in a waffle pack. © Fraunhofer IPMS
  • Elektronik (Wafer, Halbleiter, Mikrochips,...)

Substrate für organische Feldeffekttransistoren (OFET) zur Entwicklung von High-Tech-Materialien

Individuelle Silizium-Chips aus Sachsen zur Materialcharakterisierung für gedruckte Elektronik

Wie leistungsfähig sind neue Materialien? Führt eine Änderung der Eigenschaften zu einer besseren Leitfähigkeit? Am Fraunhofer-Institut für Photonische Mikrosysteme IPMS werden dafür ausgelegte Silizium-Substrate entwickelt und gefertigt. Damit wird die grundlegende elektrische Materialcharakt…

The design pathfinding PDK allows for digital designs with 2nm Gate All Around (GAA) technology including backside connectivity. The design pathfinding PDK allows for digital designs with 2nm Gate All Around (GAA) technology including backside connectivity.
  • Elektronik (Wafer, Halbleiter, Mikrochips,...)

Das Design Pathfinding Kit PDK senkt die Eintrittsschwelle für Wissenschaft und Industrie in die modernsten Halbleitertechnologien

Imec präsentiert das erste Design Pathfinding Process Design Kit für N2 Node

Imec, ein weltweit führendes Forschungs- und Innovationszentrum für Nanoelektronik und digitale Technologien, präsentiert auf der IEEE International Solid-State Circuits Conference (ISSCC) 2024 sein Open Process Design Kit (PDK) mit einem begleitenden Trainingsprogramm, das über EUROPRACTICE ang…

AIXTRON's neues Innovationszentrum Herzogenrath, 23.11.2023: Spatenstich zum Bau des neuen Innovationszentrums der AIXTRON SE am Standort Herzogenrath. V.l.n.r.: Dr. Christian Danninger, Finanzvorstand CFO AIXTRON SE, Dr. Benjamin Fadavian, Bürgermeister Stadt Herzogenrath, Dr. Felix Grawert, Vorsitzender des Vorstands CEO & President AIXTRON SE, Kim SChindelhauer, Aufsichtsratsvorsitzender AIXTRON SE, Franz-Josef Türck-Hövener, Technischer Beigeordneter Stadt Herzogenrath. (Foto: AIXTRON/F.Stark)
  • Neubau

Der führende Anbieter von Depositionsanlagen für die Halbleiterindustrie investiert am Standort Herzogenrath rund 100 Millionen Euro. Damit schafft AIXTRON eine wichtige Grundlage für das weitere erfolgreiche Wachstum.

AIXTRON startet Bau des neuen Innovationszentrums

AIXTRON SE (FSE: AIXA, ISIN DE000A0WMPJ6) hat offiziell mit dem Bau des neuen Innovationszentrums am Standort Herzogenrath begonnen. Der Spezialanlagenbauer investiert dafür rund 100 Millionen Euro – und zwar in 1000m2 Reinraumfläche mit zusätzlichen Flächen für die dazugehörige Messtechnik…

Konzeptbild der neuen Fab. © studiobrand.3dvisuals / Concept image of the new high-tech fab. © studiobrand.3dvisuals
  • Elektronik (Wafer, Halbleiter, Mikrochips,...)

Investition in neue Fertigungsanlage für die Halbleiterausrüstungsindustrie.

Hightech-Fab von Jenoptik in Dresden erhält hochmoderne Elektronenstrahl-Lithografie-Anlage

Der Photonik-Konzern Jenoptik investiert einen niedrigen zweistelligen Millionenbetrag in den Anlagenpark der derzeit entstehenden Hightech-Fab in Dresden. Mit der neuen Elektronenstrahl-Lithografie-Anlage („E-Beam“) werden zukünftig hochpräzise mikrooptische Komponenten für Kunden aus dem Ha…

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