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Alle Veröffentlichungen zur Rubrik Elektronik (Wafer, Halbleiter, Mikrochips,...)

Das Gehäuse der VCSEL-Laserdioden mit integrierter Temperaturkontrolle ist äußerst kompakt. © Fraunhofer IOF / The housing of VCSEL laser diodes with integrated temperature control is extremely compact. © Fraunhofer IOF Schematische Darstellung der achtkanaligen VCSEL-Quelle für polarisationsverschlüsselte Photonen. © Fraunhofer IOF / Schematic representation of the eight-channel VCSEL source for polarization encrypted photons. © Fraunhofer IOF Darstellung der VCSEL-Quelle auf der Leiterplatte mit KOVAR-Rahmen. Im Rahmen ist die Optik untergebracht, die oben auf dem VCSEL-Chip befestigt ist. Die Glasspitze auf dem Gehäuse ist der Wellenleiterkombinator, aus dem das Polarisationssignal austritt. © Fraunhofer IOF / The VCSEL source on the ceramic printed circuit board (PCB) is shown with the KOVAR frame housing. The tiny glass tip on top of the housing is the waveguide combiner, where the polarization signal comes to exit. © Fraunhofer IOF Die Quelle wird auf einer Keramik-Leiterplatte mit einem Molybdän-Kühlkörper montiert. Die Flügel sind Stecker für Wärmemanagementkomponenten. © TU Ilmenau / A ceramic printed circuit board (PCB) is bonded to a molybdenum heatsink. The PCB carries the VCSEL and driver chip (center). The wings are plugs for thermal management components. © TU Ilmenau
  • Messe

Photonics West 2025: Fraunhofer IOF präsentiert VCSEL-basierte Photonenquelle für quantenverschlüsselte Kommunikation

Ultrakompakte Lichtquelle für Quantenverschlüsselung

Das Fraunhofer-Institut für Angewandte Optik und Feinmechanik IOF präsentiert auf der SPIE Photonics West in San Francisco (28. bis 30. Januar 2025) eine neue Photonenquelle, die speziell für das »Prepare-and-Measure«-Protokoll der Quantenkommunikation entwickelt wurde. Die Komponenten der Quel…

Ein 300 mm Siliziumwafer mit Tausenden von GaAs-Bauelementen mit einer Nahaufnahme mehrerer Dies und eine Rasterelektronenmikroskop-Aufnahme einer Nano-Ridge-Anordnung aus GaAs nach der Epitaxie. / A 300 mm silicon wafer containing thousands of GaAs devices with a close-up of multiple dies and a scanning electron micrograph of a GaAs nano-ridge array after epitaxy. Ein 300 mm Siliziumwafer mit Tausenden von GaAs-Bauelementen mit einer Nahaufnahme mehrerer Dies und eine Rasterelektronenmikroskop-Aufnahme einer Nano-Ridge-Anordnung aus GaAs nach der Epitaxie. / A 300 mm silicon wafer containing thousands of GaAs devices with a close-up of multiple dies and a scanning electron micrograph of a GaAs nano-ridge array after epitaxy.
  • Elektronik (Wafer, Halbleiter, Mikrochips,...)

Imec verzeichnet durchschlagenden Erfolg in der Siliziumphotonik und ebnet damit den Weg für kostengünstige und leistungsstarke optische Komponenten.

Erste komplette Fertigung von elektrisch gepumpten GaAs-basierten Nano-Ridge-Lasern auf 300-mm-Siliziumwafern im Wafer-Maßstab

Imec, ein weltweit führendes Forschungs- und Innovationszentrum für Nanoelektronik und digitale Technologien, hat mit der erfolgreichen Demonstration elektrisch betriebener GaAs-basierter Multi-Quantum-Well-Nanoridge-Laserdioden, die vollständig monolithisch auf 300-mm-Siliziumwafern in seiner CM…

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