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Alle Veröffentlichungen von IMEC Belgium

Ein Diced-GaN-Wafer, ähnlich dem, was die Gewinner mit imec herstellen werden können. / A diced GaN wafer, similar to what winners will be able to produce with imec.
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  • Award

Der Wettbewerb zielt darauf ab, Innovationen in der Leistungselektronik zu fördern und die GaN-Technologie zu nutzen, um leistungsstärkere, kleinere und schnellere Komponenten zu entwickeln, die die Leistungsdichte der Geräte erhöhen

Imec und EUROPRACTICE verkünden die Gewinner des GaN-IC-Technologie-Designwettbewerbs 2021

Imec, das führende Forschungs- und Innovationszentrum für Nanoelektronik und digitale Technologien, und EUROPRACTICE haben heute die Gewinner des GaN-IC-Designwettbewerbs 2021 bekannt gegeben. Ziel des Wettbewerbs ist es, Innovationen in der Leistungselektronik zu fördern, die die Galliumnitrid-T…
Ein Demonstrationsmuster des von imec entwickelten Atemtestgeräts. (Bild: imec)
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  • Unternehmen

Imec schließt Lizenzvertrag mit miDiagnostics über die Vermarktung seiner patentierten Technologie zur schnellen und zuverlässigen COVID-19-Diagnose anhand der Atemluft ab

Imec, weltweit führendes Forschungs- und Innovationszentrum für Nanoelektronik und Digitaltechnik, und miDiagnostics, ein Spin-off von imec in einem Kooperationsverbund mit der Johns Hopkins University, das sich auf die Entwicklung von Point-of-Care-Tests für das Screening, die Diagnose und die Å
Vertikaler Pufferleckstrom in Durchlassrichtung, gemessen an 1200V GaN-on-QST® bei zwei verschiedenen Temperaturen: (links) 25°C und (rechts) 150°C. Der 1200V-Puffer von Imec zeigt einen vertikalen Leckstrom unter 1µA/mm2 bei 25°C und unter 10µA/mm2 bei 150°C bis zu 1200V mit einem Durchbruch von über 1800V sowohl bei 25°C als auch bei 150°C, was ihn für die Verarbeitung von 1200V-Bauteilen geeignet macht. / Vertical forward buffer leakage current measured on 1200V GaN-on-QST® at two different temperatures: (left) 25°C and (right) 150°C. Imec’s 1200V buffer shows vertical leakage current below 1µA/mm2 at 25°C and below 10µA/mm2 at 150°C up to 1200V with a breakdown in excess of 1800V both at 25°C and 150°C, which makes it suitable for the processing of 1200V devices.

Dieses bahnbrechende Ergebnis ebnet den Weg für den Eintritt von GaN in den SiC-Hochspannungsbereich

Imec und AIXTRON präsentieren 200-mm-GaN-Epitaxie auf AIX G5+ C für 1200-V-Anwendungen mit einem Breakdown bei über 1800 V

Imec, ein weltweit führendes Forschungs- und Innovationszentrum für Nanoelektronik und digitale Technologien, und AIXTRON, der führende Anbieter von Beschichtungsanlagen für Verbindungshalbleiter-Materialien, haben das epitaktische Wachstum von Galliumnitrid (GaN)-Pufferschichten vorgestellt, di…
The Neuropixels 2.0 probe (bottom) is smaller than the first generation (top) and can monitor neural activity over weeks.

Eine neue Generation winziger Aufzeichnungssonden kann dieselben Neuronen in winzigen Mäusehirnen über Wochen - ja sogar Monate - verfolgen.

Neueste Neuropixels Sonden können Neuronen für mehrere Wochen überwachen

Die neuen Tools bauen auf dem Erfolg der ursprünglichen Neuropixels-Sonden auf, die 2017 vorgestellt wurden und derzeit in mehr als 400 Laboren eingesetzt werden. Neuropixels 2.0 sind viel kleiner - etwa nur noch ein Drittel so groß wie der Vorgänger. Sie wurden entwickelt, um die elektrische Akt…
28nm Pitch Single-Exposure-Strukturierung mit dem MOx-Prozess von Inpria auf einem 0,33NA EUV-Vollfeldscanner nach Ru-Metallisierung. / 28nm pitch single-exposure patterning using Inpria’s MOx process on a 0.33NA EUV full field scanner after Ru metallization. 24nm Pitch-Linien/Abstände, erzielt auf einem 0,33NA NXE:3400B Vollfeldscanner, (links) nach dem Entwickeln und (rechts) nach dem Ätzen auf der kritischen Zielgröße (CD) (uLER = unbiased line-edge roughness). / 24nm pitch line/spaces obtained on a 0.33NA NXE:3400B full field scanner, (left) after developing and (right) after etching on target critical dimension (CD) (uLER = unbiased line-edge roughness). 28nm Kontaktlöcher, erzielt mit einem 0,33NA NXE:3400 Vollfeldscanner, nach dem Entwickeln. / 28nm contact holes obtained on a 0.33NA NXE:3400 full field scanner, after developing.

Nachgewiesene Korrelation zwischen morphologischen und elektrischen Daten auf 28-nm-Pitch-Linien/-Spaces erhöht das Verständnis der Auswirkungen stochastischer Defekte auf die Zuverlässigkeit/Ausbeute der Bauelemente

Imec treibt die Single-Exposure-Patterning-Fähigkeit von 0,33NA EUVL bis an ihre Grenzen

Diese Woche präsentieren imec, ein weltweit führendes Forschungs- und Innovationszentrum für Nanoelektronik und digitale Technologien, und ASML, der weltweit führende Hersteller von Halbleiterlithografieanlagen, auf der SPIE Advanced Lithography Conference 2021 mehrere Vorträge, die die ultimat…
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