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Alle Veröffentlichungen von IMEC Belgium

EnergyVille 2 Forschungsgebäude in Genk / EnergyVille 2 research building in Genk Huw Hampson Jones (Solithor) and -Olivier Rousseaux (imec)
  • Batterie

Ein bahnbrechender Ansatz für Festkörperbatterien wird die Grenzen für die Elektrifizierung des Verkehrs durchbrechen

Imec-Spin-off SOLiTHOR schließt eine 10 Mio. € Startkapitalrunde ab, um neue bahnbrechende Technologie für Festkörperbatterien zu entwickeln

SOLiTHOR , das neu gegründete Spin-Off-Unternehmen von imec - Partner im führenden europäischen F&E-Innovationszentrum für Energie, Energyville - steht an der Spitze der Entwicklung, Herstellung und Kommerzialisierung innovativer Lithium-(Li)-Batteriezellentechnologie, um zuverlässig und wi…

Der neue Impulsradio-Ultrabreitband-Senderchip von Imec ermöglicht Datenübertragungsraten von bis zu 1,66 Gb/s für In-Body- und Kurzstrecken-Anwendungen. / Imec’s new impulse-radio ultra-wideband transmitter chip accommodates data transfer rates up to 1.66Gb/s for in-body and short-range applications.
  • Messe

Der Beitrag zur ISSCC '22 bestätigt, dass die UWB-Technologie in der Lage ist, Anwendungen mit niedrigem Stromverbrauch und hoher Bitrate zu unterstützen - von intelligenten Brillen, die die AR/VR-Erlebnisse von morgen ermöglichen, bis hin zu drahtlosen T

Imec entwickelt Ultra-Breitband-Senderchip, der Datenraten von bis zu 1,66 Gb/s mit einer Leistungsaufnahme im Milliwatt-Bereich ermöglicht

Auf der diese Woche stattfindenden International Solid-State Circuits Conference (ISSCC) stellt imec - ein weltweit führendes Forschungs- und Innovationszentrum für Nanoelektronik und digitale Technologien - einen neuen Impulsradio-Ultrabreitband (IR-UWB)-Senderchip vor, der die Zukunft der UWB-Te…

Prozessquerschnitte der auf 200 mm GaN-auf-SOI-Substraten hergestellten Hochspannungsbauelemente (a) e-mode pGaN-HEMT, (b) d-mode MIS-HEMT, (c) Schottky-Barrier-Diode. Alle Bauelemente enthalten metallische Feldplatten, die auf Front-End- und Interconnect-Metallschichten basieren und durch dielektrische Schichten getrennt sind. / Process cross-sections of the high-voltage components fabricated on 200 mm GaN-on SOI substrates (a) e-mode pGaN-HEMT (b) d-mode MIS-HEMT, (c) Schottky barrier diode. All devices include metal field plates based on front-end and interconnect metal layers and separated by dielectric layers.
  • Wissenschaft

Die Integration sorgt für eine deutliche Leistungssteigerung von GaN-Leistungssystemen

Imec zeigt erfolgreiche monolithische Integration von Schottky-Dioden und Depletion-Mode-HEMTs mit 200 V GaN-IC

Diese Woche präsentiert imec, das führende Forschungs- und Innovationszentrum für Nanoelektronik und digitale Technologien, auf dem International Electron Devices Meeting 2021 (IEEE IEDM 2021) die erfolgreiche Co-Integration von Hochleistungs-Schottky-Barrier-Dioden und Depletion-Mode-HEMTs auf e…

The news SSTS program combines imec’s insights in infrastructure, technology and machinery to help the complete IC value chain reduce its ecological footprint.
  • Wissenschaft

Apple beteiligt sich als erster öffentlicher Partner am neuen imec-Forschungsprogramm, das der gesamten Halbleiter-Wertschöpfungskette hilft, ihren ökologischen Fußabdruck zu reduzieren

Imec, ein international führendes Forschungs- und Innovationszentrum für Nanoelektronik und digitale Technologien, gibt heute bekannt, dass Apple Inc. dem brandneuen Forschungsprogramm Sustainable Semiconductor Technologies and Systems (SSTS) von Imec beigetreten ist. Das SSTS-Programm ist die ers…

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