![Dr. Jana Hartmann und Juliane Breitfelder (v.l.) im neu ausgestatteten Reinraum des Instituts für Halbleitertechnik. (Bildnachweis: Max Fuhrmann/TU Braunschweig) / Dr Jana Hartmann and Juliane Breitfelder (from left) in the newly equipped cleanroom of the Institute of Semiconductor Technology. (Picture Credits: Max Fuhrmann/TU Braunschweig) Dr. Jana Hartmann und Juliane Breitfelder (v.l.) im neu ausgestatteten Reinraum des Instituts für Halbleitertechnik. (Bildnachweis: Max Fuhrmann/TU Braunschweig) / Dr Jana Hartmann and Juliane Breitfelder (from left) in the newly equipped cleanroom of the Institute of Semiconductor Technology. (Picture Credits: Max Fuhrmann/TU Braunschweig)](/uploads/images/_scale/tubs_2206_fuh_iht_49_169_626x352.jpg)
![Während die eine Anlage ätzt, bringt diese PECVD neue Halbleiterschichten auf die Wafer des Instituts. (Bildnachweis: Max Fuhrmann/TU Braunschweig) / While one of the devices is etching, this PECVD unit is depositing new semiconductor layers on the institute’s wafers. (Picture Credits: Max Fuhrmann/TU Braunschweig) Während die eine Anlage ätzt, bringt diese PECVD neue Halbleiterschichten auf die Wafer des Instituts. (Bildnachweis: Max Fuhrmann/TU Braunschweig) / While one of the devices is etching, this PECVD unit is depositing new semiconductor layers on the institute’s wafers. (Picture Credits: Max Fuhrmann/TU Braunschweig)](/uploads/images/_scale/tubs_2206_fuh_iht_41_169_626x352.jpg)
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Präzise Maschinen für die nächste Generation von LED-Chips
Breaking GaN
Der Weg zu neuen LED-Technologien erfolgt Schicht für Schicht und ist wortwörtlich ätzend. Damit am Institut für Halbleitertechnik etwa blaue LEDs aus Galliumnitrid (GaN) entstehen können, braucht es daher hochspezialisiertes Reinraum-Equipment. Mit zwei neuen Geräten öffnen sich jetzt weiter…