![Dr. Jana Hartmann und Juliane Breitfelder (v.l.) im neu ausgestatteten Reinraum des Instituts für Halbleitertechnik. (Bildnachweis: Max Fuhrmann/TU Braunschweig) / Dr Jana Hartmann and Juliane Breitfelder (from left) in the newly equipped cleanroom of the Institute of Semiconductor Technology. (Picture Credits: Max Fuhrmann/TU Braunschweig) Dr. Jana Hartmann und Juliane Breitfelder (v.l.) im neu ausgestatteten Reinraum des Instituts für Halbleitertechnik. (Bildnachweis: Max Fuhrmann/TU Braunschweig) / Dr Jana Hartmann and Juliane Breitfelder (from left) in the newly equipped cleanroom of the Institute of Semiconductor Technology. (Picture Credits: Max Fuhrmann/TU Braunschweig)](/uploads/images/_scale/tubs_2206_fuh_iht_49_169_626x352.jpg)
![Während die eine Anlage ätzt, bringt diese PECVD neue Halbleiterschichten auf die Wafer des Instituts. (Bildnachweis: Max Fuhrmann/TU Braunschweig) / While one of the devices is etching, this PECVD unit is depositing new semiconductor layers on the institute’s wafers. (Picture Credits: Max Fuhrmann/TU Braunschweig) Während die eine Anlage ätzt, bringt diese PECVD neue Halbleiterschichten auf die Wafer des Instituts. (Bildnachweis: Max Fuhrmann/TU Braunschweig) / While one of the devices is etching, this PECVD unit is depositing new semiconductor layers on the institute’s wafers. (Picture Credits: Max Fuhrmann/TU Braunschweig)](/uploads/images/_scale/tubs_2206_fuh_iht_41_169_626x352.jpg)
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Precise instruments for the next generation of LED chips
Breaking GaN
The path to new LED technologies is taken layer by layer and flooded with acid. Highly specialized cleanroom equipment is therefore needed to produce for example blue LEDs from gallium nitride (GaN) at the Institute of Semiconductor Technology. Two new large-scale instruments now open up further ave…