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  • Umbau

Beyond Gravity erhöht die Produktionskapazität für Triebwerksausrichtung verzehnfachen

Beyond Gravity, ein führender globaler Raumfahrtzulieferer, erweitert seine Produktionskapazitäten in Österreich erheblich, um der steigenden Nachfrage nach Mechanismen gerecht zu werden, die auf elektrische Satellitentriebwerke hinweisen. „Wir investieren 4,5 Millionen Euro, um unsere Produktionsst…

Das Raumfahrtunternehmen Beyond Gravity verdoppelt die Produktionsfläche an seinem Standort in Berndorf, Österreich.
Das Raumfahrtunternehmen Beyond Gravity verdoppelt die Produktionsfläche an seinem Standort in Berndorf, Österreich. Ab 2027 wird das Unternehmen in der Lage sein, jährlich zehnmal mehr Ausrichtmechanismen zu produzieren.

Kalender

  • Datum:

Hygiene

Veranstaltungsort:
Affoltern am Albis
Veranstalter:
PTS Training Service
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HJM Becker Hydroflex Vaisala
Main entrance at X-FAB's Erfurt site
  • Neubau

Bund und Freistaat Thüringen unterstützen Schlüsselprojekt für Zukunft des Mikroelektronikstandorts Thüringen mit 127,4 Millionen Euro

Förderbescheid übergeben: X-FAB baut Erfurt zum Zentrum für Mikrosystemtechnik aus

Einen Förderbescheid über 127,4 Millionen Euro haben Thüringens Ministerpräsident Mario Voigt, Thüringens Wirtschaftsministerin Colette Boos-John und Erfurts Oberbürgermeister Andreas Horn heute in Erfurt an die X-FAB MEMS Foundry GmbH übergeben. Mit der Förderung von Bund und Freistaat Thüringen wi…

Abbildung 1 – Schematischer Vergleich zwischen (links) dem herkömmlichen „Via-Middle“-Ansatz und (rechts) dem „Local-BDI“-TSV-Ansatz unter der Annahme einer Zellenhöhe von 115 nm und einer Siliziumdicke von 500 nm. Abbildung 2 – Abhängigkeit des Kettenwiderstands von TSV/MOL-Via-Strukturen vom Überlagerungsfehler bei einem Überlagerungsfenster von 30 nm. Die durchgezogene schwarze Linie stellt die Simulationsergebnisse dar; die gestrichelten Linien stehen für eine Abweichung von ±5 %.
  • Elektronik (Wafer, Halbleiter, Mikrochips,...)

Der neue Integrationsansatz nutzt selbstausgerichtete Durchkontaktierungen im Silizium mit einer Strukturbreite von unter 100 nm und ermöglicht so Verbindungen von der Vorderseite zur Rückseite, die sich durch geringen Widerstand und geringe Leckströme sowie eine gute Überlagerungsgenauigkeit auszeichnen.

Sony und imec stellen ein hochdichtes Modul für die Rückseitenverbindung vor, das die Integration von 3D-Chips der nächsten Generation ermöglicht

– Sony und imec stellen ein neuartiges Modul zur Integration hochdichter, rückseitiger Sub-100-nm-Through-Si-Vias (TSVs) vor, das auf einem selbstausgerichteten Verfahren zur lokalen dielektrischen Isolierung auf der Rückseite (local BDI) basiert.
– Die so entstandenen Front-to-Back-TSVs weisen im Ve…

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